SI1012CR-T1-GE3
Vishay Siliconix
Deutsch
Artikelnummer: | SI1012CR-T1-GE3 |
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Hersteller / Marke: | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 20V SC75A |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $0.47 |
10+ | $0.352 |
100+ | $0.2194 |
500+ | $0.1502 |
1000+ | $0.1155 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±8V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | SC-75A |
Serie | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 396mOhm @ 600mA, 4.5V |
Verlustleistung (max) | 240mW (Ta) |
Verpackung / Gehäuse | SC-75, SOT-416 |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 43 pF @ 10 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2 nC @ 8 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 630mA (Ta) |
Grundproduktnummer | SI1012 |
SI1012CR-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English] | SI1012CR-T1-GE3 PDF - EN.pdf |
MOSFET N-CH 20V 500MA SC75A
SI1012R-T1 VISHAY
VISHAY SOT-523
SI1012R VISHAY
VISHAY SC75A
IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42WFQFN
VISHAY SOT523
MOSFET N-CH 20V 0.63A SC-75A
MOSFET P-CH 12V SC-89
MOSFET N-CH 20V 500MA SC75A
MOSFET N-CH 20V 500MA SOT523
MOSFET N-CH 20V 500MA SC-75A
IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42WFQFN
VISHAY SOT-523
VISHAY SOT153
VBSEMI SC75A
MOSFET P-CH 12V SC89-3
IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42VFLGA
IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42VFLGA
VISHAY SC-75A
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() SI1012CR-T1-GE3Vishay Siliconix |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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